高濃度半導體廢水主要來源于半導體制造過程中的各個工藝步驟，如光刻、顯影、濕法/干法刻蝕、離子注入、化學氣相沉積、化學機械拋光、芯片研磨以及芯片拋光等。其主要特點為：

• 污染物種類多、濃度高：半導體制造過程中使用的化學物質繁多，包括各種酸、堿、有機溶劑、重金屬等，這些物質在廢水中含量往往較高。

• 毒性大：半導體廢水中的重金屬和有機溶劑等物質對人體和環(huán)境具有很大的毒性。

• 濃度的波動性：由于生產(chǎn)過程的波動，半導體廢水中的污染物濃度往往會出現(xiàn)大幅度波動。

高濃度半導體廢水的處理方法主要有生物處理法、膜分離技術等。其工藝流程如下：

1. 預處理：去除大顆粒物，通過過濾、沉淀等方法去除廢水中的大顆粒物，防止堵塞管道和設備；調節(jié)水質，通過加藥、混合等方法調節(jié)廢水pH值，使其達到后續(xù)處理的最佳范圍；去除油類物質，通過分離、吸附等方法去除廢水中的油類物質，防止對環(huán)境造成污染。

2. 主體處理：化學沉淀，通過向廢水中投加化學藥劑，使某些離子形成沉淀物，再通過沉淀、過濾等方法去除；氧化還原，通過向廢水中投加氧化劑或還原劑，使某些有害物質轉化為無害物質；生物處理，利用微生物的代謝作用，使廢水中的有機物得到降解和轉化。

3. 深度處理：高級氧化法，通過強氧化劑將廢水中的有機物進行氧化分解，使其轉化為無害物質；吸附法，利用活性炭、樹脂等吸附劑吸附廢水中的微量污染物；膜分離法，利用膜技術將廢水中的離子、分子、蛋白質等進行分離和純化。